首先要告诉大家的是：目前而言，我国最先进的光刻机依然是制程工艺节点为90纳米的步进扫描投影光刻机，至于制程工艺节点达到28纳米的浸没式DUV光刻机的各个部件仍在研发之中，估计不久之后就可以完成了，从而国产光刻机的性能也将进一步得到提升。
在国产半导体产业链中，光刻机是唯一的短板，只要光刻机上去了像蚀刻机，离子注入机，光刻胶等都不是问题。所以说，如今光刻机已经成为制约我国半导体产业发展的唯一因素，只要解决了掣肘的光刻机，一切就都迎刃而解了。
国内芯片的现状
就目前而言，在不依赖国外技术的前提下，国内最先进的光刻机制程工艺节点是90纳米，在国外技术的支撑下，不依赖极紫外EUV光刻机时，可以将芯片的制程工艺推进至7纳米。
不过美国已经对我国限制了12纳米以下芯片的生产。在去美国化时，国内目前的芯片最高的制程工艺也就是14纳米。
14纳米的制程工艺芯片已经可以满足国内军工、工业、航天、航空、汽车的需求了。毕竟以上企业对芯片可靠性，耐高低温，抗辐射性能要求比较高，对制程工艺并没有那么苛刻的要求。对制程工艺要求比较高的就是手机和电脑所用芯片，这可是拼硬实力的。
也就是说，即便是美国限制了12纳米以下制程工艺的芯片生产，但是也无可奈何国内工业的发展。
国内光刻机的现状
上文提到了，依靠我国自主的技术，仅能制造出制程工艺节点为90纳米的光刻机，不过并这不意味着使用该光刻机只能制造制程工艺为90纳米的芯片，在经过多次曝光等步骤之后，芯片的制程工艺还会有进一步的提升。倘是如此，那也无法与极紫外EUV光刻机相比。
而与光刻机有关的三大部件就是光源，透镜组，双工件台。只要解决了这三大部件，光刻机所面临的难题也就迎刃而解了，同时这三大部件也是光刻机中难度最高的，毕竟事关光学，超精密加工等等。
我国光刻机的三大部件
第一：光源
目前来看，我国已经制造出来了适用于步进投影式DUV光刻机的第三代光源，也就是波长达到248纳米，重复频率为4000hz，功率为40瓦的氟化氪激光器。由于波长只有248纳米，也就自然无法用于极紫外EUV光刻机，毕竟极紫外EUV光刻机所用的光源波长为13.5纳米。
第二：透镜组
由于国内与光刻机有关的透镜或者反射镜的消息很少被披露出来，所以对于国内的物镜系统的有关进度是知之甚少。既然有了成熟可用的步进式投影式DUV光刻机，那么透镜系统就必然已经被制造出来了。不过，这只是透镜而不是反射镜，也无法用于极紫外EUV光刻机。
第三：双工件台
双工件台也有现成的，那就是自主研发的DWS系列。该双工件台的平均运动偏差为4.5纳米，标准运动偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速度为2.4g。
正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。
在以上技术的加成下，就缩小了运动偏差，加速度，运动速度等数据。最终DWSI双工件台的平均运动偏差为2.5纳米，标准运动偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g。
国际先进光刻机的现状
国际最先进的光刻机制造厂家就是ASML，当然了极紫外EUV光刻机的部件是相当精密的，需要全球主要发达国家的支持。
第一:光源
ASML生产的极紫外EUV光刻机，采用了Cymer公司研发的波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。早期Cymer公司还属于美国，只不过最后被ASML收购了。
该光源主要有两大特点:
第一，高达250瓦的功率
由于极紫外EUV光刻机使用的是反射式物镜系统，只有光源的功率足够高之后。当紫外光波被十多个反射镜的反射吸收之后，剩下的功率才可以满足光刻的要求。另外，光刻机光源的功率越高，刻录芯片的速度也就越快，那效率自然就很高。
第二，13.5纳米的较短极紫外波。
众所周知，光刻机所用的光源的波长与最小制程工艺息息相关。由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系。
而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高，制程工艺也就越小，科技含量也就越高。光源的波长越长，曝光分辨率越低，芯片制程工艺也就越大，技术含量就越少。如今手机和电脑等电子产品所用的芯片的制程工艺已经下探至4纳米，这技术含金量可是相当高的。
第二:物镜组
极紫外EUV光刻机使用后的是反射镜，而当反射镜的表面不光滑时。入射到镜面的光源就会被反射到各个方向，从而降低光源的聚合性，也就降低了光源的功率，很有可能无法满足刻录芯片的需求为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，所以就对反射镜的表面粗糙度有着苛刻的要求。
ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研发的反射镜。这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，比芯片的制程工艺还要小两个量级，制造难度还是相当大的。
第三:双工件台
双工件台的作用就是承载着晶圆，主要是将光刻前的准备工作，和正在进行的光刻的芯片分隔开来。
即，一个工件台上的晶圆在做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。当第一个工件台的曝光工作完成之后，两个工件台交换位置和职能。这样一来，就可以提高光刻机的生产速度，使用双工件台的光刻机，每小时可以处理200片晶圆。相对于使用单工件台的光刻机而言，生产效率提高了3倍。
ASML研发的极紫外EUV光刻机所用的就是，其自己研发的Twinscan系列双工件台，该双工件台的运动精度误差控制在1.8纳米。
综上所述，ASML生产的极紫外EUV光刻机三大核心部件的研发难度是相当大的。
就从全球来看，也只有区区一两个企业可以拿得出来。
而除了以上三大核心部件外，还有掩膜台，掩膜板，光刻胶，操作系统等也比较重要。可见光刻机的研发生产，真的是一件难度比较大的事情，基本上可以成为当今世界上难度最大，复杂度最高的综合系统。
通过对比国内外的光刻机三大部件可知:国内在光源的波长和功率，反射镜，双工件台的运行精度等还有较大的差距，不过ASML不准备听从美国的命令，想要对我国出口浸没式DUV光刻机，这里的意思就很明确了。
当我国研制出浸没式DUV光刻机后，那ASML再想卖也没有用了，估计是他们听到了有关我国浸没式DUV光刻机的风声，想要在研发出现之前大赚一笔。从此来看，我国的浸没式DUV光刻机离出世也不远了。
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